一种砷化镓单晶的生长方法专利登记公告

专利名称：一种砷化镓单晶的生长方法

摘要：本发明公开了一种砷化镓单晶的生长方法。即将砷化镓多晶原料放入预先放置籽晶的PNB坩埚内，然后将PNB坩埚置于生长炉内的下降台上，下降台上放置1～5根PNB坩埚，调整生长炉炉体温度处于1200～1300℃，使籽晶顶部熔化后将下降台下降的同时并旋转，晶体生长结束后将PNB坩埚移至生长炉内的恒温区对GaAs晶体实行原位退火，退火过程控制生长炉内的温度为950～1100℃、时间为8～12h，然后再以20～70℃/h的速率降至室温,即得到GaAs单晶。本发明的一种砷化镓单晶的生长方法，生长的晶体热应力小和均匀性好，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210167241.6

专利申请（专利权）人：上海应用技术学院

专利发明（设计）人：房永征;金敏;徐家跃;张娜;王占勇;张彦;江国健

主权项：一种砷化镓（GaAs）单晶的生长方法，其特征在于具体包括以下步骤：（1）、将砷化镓多晶原料放入预先放置籽晶的PNB坩埚内，然后将PNB坩埚置于生长炉内的下降台上；（2）、下降台上放置1～5根PNB坩埚，调整生长炉炉体温度处于1200～1300℃，使籽晶顶部熔化；（3）、步骤（2）籽晶顶部熔化后将下降台下降的同时并旋转，反应10～15h后，晶体生长结束；（4）、步骤（3）晶体生长结束后，将PNB坩埚移至生长炉内的恒温区，对GaAs晶体实行原位退火，退火过程控制生长炉内的温度为950～1100℃、时间为8～1

专利地区：上海