用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法专利登记公告

专利名称：用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法

摘要：本发明涉及一种用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法，包括：配料工序：采用高纯Si粉和高纯C粉为原料，高纯Si粉和高纯C粉的摩尔比大于1∶1且在1.5∶1以下；预处理工序：将高纯Si粉和高纯C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至1×10-3Pa以下，同时将温度升高至600～1300℃；以及高温合成工序：在规定压力的高纯非氧化性气氛下，于反应温度1500～2500℃下，保持反应2～20小时，而后降至室温，即可得到用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210169640.6

专利申请（专利权）人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所

专利发明（设计）人：高攀;陈建军;刘熙;严成锋;孔海宽;忻隽;郑燕青;施尔畏

主权项：一种用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法，其特征在于，所述合成方法包括：配料工序：采用高纯Si粉和高纯C粉为原料，所述高纯Si粉和高纯C粉的摩尔比大于1：1且在1.5：1以下；预处理工序：将所述高纯Si粉和高纯C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对所述加热炉的生长室抽高真空至1×10?3Pa以下，同时将温度升高至600～1300℃；以及高温合成工序：在规定压力的高纯非氧化性气氛下，于反应温度1500～2500℃下，保持反应2～20小时，而后降至室温，即可得到用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料。

专利地区：上海