利用应力技术提高SONOS结构器件编译速度的方法专利登记公告

专利名称：利用应力技术提高SONOS结构器件编译速度的方法

摘要：本发明揭示了一种利用应力技术提高SONOS结构器件编译速度的方法，该方法包括：提供具有SON结构的晶片，在具有所述SON结构的晶片上沉积第二氧化层或阻挡氧化层，在所述第二氧化层或阻挡氧化层上沉积应力层，进行退火工艺，使存储氮化层、第一氧化层和阻挡氧化层或第二氧化层产生应力并传导到器件沟道中转换为沟道中的应力。本发明利用存储氮化层、第一氧化层和阻挡氧化层或第二氧化层来实现应力的转移，可以更接近沟道，使应力转移的效果更加明显，从而可以更显著的提高SONOS结构器件中的载流子迁移率，从而提高编译速度，同时避免了

专利类型：发明专利

专利号：CN201210169810.0

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：田志;匡玉标

主权项：一种利用应力技术提高SONOS结构器件编译速度的方法，所述SONOS结构自下至上依次包括硅半导体衬底、第一氧化层、存储氮化层、第二氧化层和多晶硅栅极，所述方法包括：提供具有SON结构的晶片，所述SON结构自下至上依次为硅半导体衬底、第一氧化层和存储氮化层；在具有所述SON结构的晶片上沉积第二氧化层；在所述第二氧化层上沉积应力层；进行退火工艺；去除所述应力层，以露出所述第二氧化层；去除部分所述第二氧化层，以去除覆盖在所述SON结构中之外的第二氧化层，以形成SONO结构；在所述SONO结构上制备多晶硅栅极，以

专利地区：上海