利用正硅酸乙酯制备二氧化硅的设备及方法专利登记公告
专利名称:利用正硅酸乙酯制备二氧化硅的设备及方法
摘要:本发明提供了一种利用正硅酸乙酯制备二氧化硅的设备及方法。正硅酸乙酯反应腔与泵相连,正硅酸乙酯反应腔通过第一气体流量计连接至正硅酸乙酯气体源;并且,在正硅酸乙酯气体源与第一气体流量计之间的运气管路上布置了第一加热保护套,在正硅酸乙酯反应腔与第一气体流量计之间的运气管路上布置了第三加热保护套;而且,所述第一加热保护套C1的温度被设定为100℃,所述第三加热保护套的温度被设定为高于100℃,例如120℃。本发明将靠近正硅酸乙酯气体源的加热保护套的温度设定为100℃,靠近正硅酸乙酯反应腔的加热保护套的温度设定为更
专利类型:发明专利
专利号:CN201210169841.6
专利申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
专利发明(设计)人:江润峰
主权项:一种利用正硅酸乙酯制备二氧化硅的设备,其特征在于包括:正硅酸乙酯反应腔、泵、第一气体流量计以及正硅酸乙酯气体源;其中,所述正硅酸乙酯反应腔与所述泵相连,所述正硅酸乙酯反应腔通过所述第一气体流量计连接至所述正硅酸乙酯气体源;并且,在所述正硅酸乙酯气体源与所述第一气体流量计之间的运气管路上布置了第一加热保护套,在所述正硅酸乙酯反应腔与所述第一气体流量计之间的运气管路上布置了第三加热保护套;而且,所述第一加热保护套C1的温度被设定为100℃,所述第三加热保护套的温度被设定为高于100℃。
专利地区:上海
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