半导体结构及其形成方法专利登记公告

专利名称：半导体结构及其形成方法

摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的凹槽，所述凹槽中填充有稀土氧化物；部分或全部位于所述稀土氧化物上沟道区；和位于所述沟道区两侧的源区和漏区。通过在半导体器件的源区和漏区下方形成稀土氧化物层，从而向CMOS器件的源漏区和沟道区引入类型和大小可调的应力，显著提升半导体器件的迁移率，并且，利用稀土氧化物的晶体特性，以晶体生长的方式形成应力源，极大地简化了工艺流程。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210175754.1

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：王巍;王敬;郭磊

主权项：一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的凹槽，所述凹槽中填充有稀土氧化物；部分或全部位于所述稀土氧化物上的沟道区；和位于所述沟道区两侧的源区和漏区；其中，所述稀土氧化物的晶格常数a与所述沟道区和或所述源区和漏区的半导体材料的晶格常数b的关系为：a=(n±c)b，其中n为整数，c为晶格常数失配率，0

专利地区：北京