基于C注入的Ni膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法专利登记公告

专利名称：基于C注入的Ni膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法

摘要：本发明公开了一种基于C注入的Ni膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；再制作由隔离带和离子注入带组成的掩膜板；然后对清洗后的SiC样片中离子注入带区域注入C离子；接着将SiC样片置于外延炉中通Ar气快速加热至1200-1300℃，恒温保持30~90min，使离子注入区域的SiC热解生成碳膜；再另取一Si片电子束沉积一层Ni膜；将生成的碳膜样片置于Ni膜上，并将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1200℃下退火生成石墨烯纳米带；最后从石墨烯纳米带样片上取开Ni膜

专利类型：发明专利

专利号：CN201210176437.1

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;赵艳黎;张玉明;汤晓燕;张克基

主权项：一种基于C注入的Ni膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法，包括以下步骤：（1）对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；（2）制作由隔离带和离子注入带组成的掩膜板，隔离带宽度为：100?200nm，离子注入带宽度为：50?200nm；（3）在清洗后的SiC样片中的离子注入带区域注入能量为15?45keV，剂量为5×1014~5×1016cm?2的C离子；（4）将注入C离子后的SiC样片放入外延炉中，调节外延炉中压强为0.5~1×10?6Torr，快速加热至1200?1300℃，然后通入流速为500?800m

专利地区：陕西