一种纳米二氧化锰电极的制备方法专利登记公告

专利名称：一种纳米二氧化锰电极的制备方法

摘要：一种纳米二氧化锰电极的制备方法，属于一步成型制备电极材料领域。具体步骤为：（1）使用丙酮、5%的盐酸对泡沫镍进行表面预处理。（2）以锰的可溶性盐为主盐，NaNO3为添加剂，室温下配制电沉积液，并使用氨水逐滴调节pH值至6.5~7.0。（3）以泡沫镍为基体，石墨板为对电极采用两电极体系恒流脉冲沉积制备二氧化锰电极（4）80℃干燥得到纳米线二氧化锰电极。所获得的纳米线二氧化锰用作超级电容器电极时CV曲线具有明显的氧化/还原峰；由于其具有较大的表面积，提高了二氧化锰活性物质的利用率，因此纳米线二氧化锰电极具有较

专利类型：发明专利

专利号：CN201210177761.5

专利申请（专利权）人：北京科技大学

专利发明（设计）人：孔祥华;李美玲;王晓峰;尤政;宋长霖;刘茂林

主权项：一种纳米线MnO2电极的制备方法，其特征在于:?(1)分别使用丙酮、盐酸除去泡沫镍表面的油污、氧化层杂质；?(2)配置C4H6MnO4.H2O、NaNO3的混合溶液，使其浓度分别为0.1~0.3M、0.1~0.75M，经充分搅拌、溶解；在不断搅拌条件下，逐滴滴加氨水调节pH值至6.5~7.0；(3)以步骤（1）中处理完的泡沫镍为工作电极，石墨板为对电极，步骤（2）配置的溶液为电沉积液，采用两电极体系进行恒流脉冲沉积；恒流脉冲沉积参数为：阳极外加电流为8~12mA·cm?2，所对应的通电时间（Ton）20S

专利地区：北京