CMOS图像传感器及其制作方法专利登记公告

专利名称：CMOS图像传感器及其制作方法

摘要：一种CMOS图像传感器，包括：作为光电转换装置的光接收阵列、置于所述光接收阵列之上且包括金属互连线及填充于所述金属互连线间的介质层的金属互连结构、置于所述光接收阵列之上的滤色镜阵列、置于所述金属互连结构之上的微透镜阵列；其中，所述光接收阵列、所述滤色镜阵列、所述微透镜阵列分别包括多个单元，且所述滤色镜阵列的单元位于所述金属互连结构的介质层内且每个单元被所述金属互连结构的金属互连线分隔，所述滤色镜阵列的单元、所述光接收阵列的单元、微透镜阵列的单元分别对应。此外，本发明还提供了该CMOS图像传感器的制作方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210178335.3

专利申请（专利权）人：昆山锐芯微电子有限公司

专利发明（设计）人：陈雷

主权项：一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：作为光电转换装置的光接收阵列；置于所述光接收阵列之上的金属互连结构，所述金属互连结构包括金属互连线及填充于所述金属互连线间的介质层；置于所述光接收阵列之上的滤色镜阵列；置于所述金属互连结构之上的微透镜阵列；其中，所述光接收阵列、所述滤色镜阵列、所述微透镜阵列分别包括多个单元，且所述滤色镜阵列的单元位于所述金属互连结构的介质层内且每个单元被所述金属互连结构的金属互连线分隔，所述滤色镜阵列的单元、所述光接收阵列的单元、微透镜阵列的单元分别对应。

专利地区：江苏