多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法专利登记公告

专利名称：多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法

摘要：一种多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法，属于电子制造技术领域，涉及一种多层堆叠芯片的低温键合方法。为了实现叠层封装中堆叠芯片的低温高可靠互连，本发明所述方法为打孔→填充导电金属及焊盘平整化→制备钎料层→夹持对中→超声键合→成品，其中超声键合具体步骤如下：精密对准和对中后，采用超声焊接机进行超声键合。本发明适用于叠层封装中芯片厚度100μm以下的2～5层硅通孔芯片的低温键合，互连焊点厚度小于10μm。本发明采用超声键合方法，键合温度50～200℃，有效降低温度对芯片的影响；可以快速实现叠层

专利类型：发明专利

专利号：CN201210181935.5

专利申请（专利权）人：哈尔滨工业大学

专利发明（设计）人：田艳红;孔令超;王春青;刘威

主权项：一种多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法，其特征在于所述方法为打孔→填充导电金属及焊盘平整化→制备钎料层→夹持对中→超声键合→成品，其中超声键合具体步骤如下：精密对准和对中后，采用超声焊接机进行超声键合，控制超声频率20～65kHz，键合时间5秒～5分钟，键合温度为50～200℃。

专利地区：黑龙江