一种磁性锗硅GeSi 量子环及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种磁性锗硅GeSi 量子环及其制备方法

摘要：本发明公开了一种磁性锗硅GeSi量子环及其制备方法。采用化学气相沉积方法在硅片上沉积锗硅量子环，再应用磁控溅射方法进行锗硅量子环的原位掺杂。在锗硅量子环生长过程中，磁控溅射系统不工作，在锗量子环形成之后，利用磁控溅射技术原位掺杂Mn离子。应用这种化学气相-溅射法生长的GeSi：Mn磁性量子环均匀地低分散在硅片上，呈漂亮的、高度对称的环形形状，并且在室温下具有很强的饱和磁化强度和矫顽力，呈现出很强铁磁性特征。该磁性GeSi:Mn量子环可用于制备各种电磁二极管、电磁三极管和场效应晶体管等。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210182400.X

专利申请（专利权）人：苏州科技学院

专利发明（设计）人：马锡英

主权项：一种磁性GeSi?量子环的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）化学气相沉积锗硅量子环对硅衬底表面依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗，再用质量浓度为5％HF酸溶液浸泡20～30分钟，去掉Si表面的天然氧化层后，用去离子水冲洗、氮气吹干，表面清洁和预处理；将经预处理后的硅衬底放进沉积室衬底支架上，反应室抽真空至1×10?5?Pa,　衬底温度升到500～550℃，通入Ａr，在射频电压700～800V、压强50～70?Pa的条件下形成Ａr等离子体，轰击Si衬底表面20～30分钟，对Si表面进行清洁处理；将衬

专利地区：江苏