一种低温预烧制备氧基磷灰石型硅酸镧电解质粉体的方法专利登记公告

专利名称：一种低温预烧制备氧基磷灰石型硅酸镧电解质粉体的方法

摘要：一种低温预烧制备氧基磷灰石型硅酸镧电解质粉体的方法，本发明涉及一种制备氧基磷灰石型硅酸镧电解质粉体的方法。本发明要解决现有方法制备的氧基磷灰石型硅酸镧电解质粉体在固相反应时温度高，时间长，耗能多，烧结后的产品电导率低的问题。方法：将La2O3粉体和SiO2粉体进行干燥处理，按照化学计量比放入球磨罐中，同时加入无水乙醇和氧化锆磨球湿混，混合物粉体经烘干和过筛后，在空气炉中低温预烧，然后将预烧过的粉体再次研磨和多次过筛得到最终粉体产品。本发明的优点是：合成的粉体在固相反应时温度低，保温时间短，能耗少，烧结后的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210182798.7

专利申请（专利权）人：哈尔滨工业大学

专利发明（设计）人：刘占国;相珺;欧阳家虎

主权项：一种低温预烧制备氧基磷灰石型硅酸镧电解质粉体的方法，其特征在于一种低温预烧制备氧基磷灰石型硅酸镧电解质粉体的方法按以下步骤进行：一、将La2O3粉体与SiO2粉体进行干燥处理，控制干燥温度为873～1273K，干燥1～4h后降至室温，其中升温速度为100～300K·h?1，降温速度为100～500K·h?1；二、根据化学式La10?xSi6O27?3x/2，按照La与Si的化学计量比为(10?x)∶6，取步骤一中干燥后的La2O3粉体与SiO2粉体，其中0≤x≤0.67；三、将步骤二取得的La2O3粉体与

专利地区：黑龙江