一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构专利登记公告

专利名称：一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构

摘要：一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构，它为双层梯度掺杂浓度的非晶硅薄膜（a-Si:H）构成的发射极结构，以重掺杂p-a-Si:H层/浅掺杂p-a-Si:H层或重掺杂n-a-Si:H层/浅掺杂n-a-Si:H层的复合结构作为a-Si:H/c-Si结构的晶硅异质结太阳电池的发射极，重掺杂层与导电层连接，浅掺杂层与晶体硅表面的本征a-Si:H层连接，当晶体硅为n-型，则发射极为：重掺杂p-a-Si:H层/浅掺杂p-a-Si:H层结构；当晶体硅为p-型，则发射极为：重掺杂n-a-Si:H层/浅掺杂n-a-Si:H层

专利类型：发明专利

专利号：CN201210182875.9

专利申请（专利权）人：南昌大学

专利发明（设计）人：黄海宾;周浪;高江

主权项：一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构，其特征在于：它为双层梯度掺杂浓度的非晶硅薄膜（a?Si:H）构成的发射极结构，以重掺杂p?a?Si:H层/浅掺杂p?a?Si:H层或重掺杂n?a?Si:H层/浅掺杂n?a?Si:H层的复合结构作为a?Si:H/c?Si结构的晶硅异质结太阳电池的发射极，其中重掺杂层与导电层连接，浅掺杂层与晶体硅表面的本征a?Si:H层连接，发射极的掺杂类型由晶体硅的掺杂类型决定：晶体硅为n?型，则发射极为：重掺杂p?a?Si:H层/浅掺杂p?a?Si:H层结构；晶体硅为p?型，则发射极为

专利地区：江西