功率半导体器件封装及制造方法专利登记公告

专利名称：功率半导体器件封装及制造方法

摘要：本发明公开了一种功率半导体器件封装包括一个带有连接结构的导电装置，以及一个带有贯穿开口的半导体晶片，开口的尺寸和结构要足够容纳连接结构。在一个可选实施例中，一种功率半导体器件封装包括一个带有连接结构的导电装置，以及一对半导体晶片，设置在连接结构的任意一侧，并间隔一定的距离。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210185444.8

专利申请（专利权）人：万国半导体有限公司

专利发明（设计）人：鲁军;弗兰克斯·赫尔伯特;刘凯;张晓天

主权项：一种功率半导体器件封装，其特征在于，包括：一个含有平板部分的导电装置，平板结构上有一个连接结构；以及一对半导体晶片电耦合到平板部分，设置在连接结构的两侧，并间隔一定的距离。

专利地区：美国