少层数MoS₂/石墨烯电化学贮锂复合电极的制备方法专利登记公告

专利名称：少层数MoS₂/石墨烯电化学贮锂复合电极的制备方法

摘要：本发明涉及少层数MoS2/石墨烯电化学贮锂复合电极的制备方法，其步骤是：将氧化石墨烯超声分散在去离子水中，搅拌下先加入八烷基三甲基溴化铵阳离子表面活性剂，然后加入硫代钼酸铵并滴加水合肼，于95℃回流反应，使硫代钼酸铵和氧化石墨烯同时分别还原成MoS2和石墨烯，离心收集固体产物，去离子洗涤，干燥，在氮气/氢气混合气氛中热处理，得到少层数（2-4层）MoS2与石墨烯的复合纳米材料，将少层数MoS2与石墨烯复合纳米材料与乙炔黑及聚偏氟乙烯调成糊状物，涂到铜箔上滚压。本发明方法工艺简单，不消耗有机溶剂。以少层数M

专利类型：发明专利

专利号：CN201210187858.4

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：陈卫祥;王臻;黄国创;马琳

主权项：少层数MoS2/石墨烯电化学贮锂复合电极的制备方法，该复合电极的电化学贮锂活性物质为少层数MoS2与石墨烯复合纳米材料，少层数MoS2的平均层数为2?4层，复合电极各组分的质量百分比含量为：少层数MoS2/石墨烯复合纳米材料80?85%，乙炔黑5?10％，聚偏氟乙烯10％，其中少层数MoS2/石墨烯复合纳米材料中少层数MoS2与石墨烯的物质量之比为1:3，其制备包括以下步骤：（1）将氧化石墨烯超声分散在去离子水中，再加入八烷基三甲基溴化铵阳离子表面活性剂，并充分搅拌，八烷基三甲基溴化铵浓度为0.02?M，

专利地区：浙江