基于电极采用交错位方式排列的三维电阻抗断层成像方法专利登记公告

专利名称：基于电极采用交错位方式排列的三维电阻抗断层成像方法

摘要：本发明的目的在于提供一种基于电极采用交错位方式排列的三维电阻抗断层成像方法，包括以下步骤：（1）在三维图像的待测体表面放置电极，且该电极采用交错位的方式在三维图像的待测体表面上进行排列；（2）通过三维图像的待测体得到对应的有限元模型，并利用所述的电极对该有限元模型进行数据采集，根据采集到的数据计算差分电压信号yi=vi-v0；（3）计算三维图像的待测体的电导率变化近似值（4）计算所得的在有限元模型中进行显示，其显示出来的图像即为三维图像的待测体的实时差分图像。本发明的电极采用交错位的方式在三维图像的待测体

专利类型：发明专利

专利号：CN201210188972.9

专利申请（专利权）人：思澜科技（成都）有限公司

专利发明（设计）人：蒲洋;戴涛;向飞

主权项：基于电极采用交错位方式排列的三维电阻抗断层成像方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在三维图像的待测体表面放置电极，且该电极采用交错位的方式在三维图像的待测体表面上进行排列；（2）通过三维图像的待测体得到对应的有限元模型，并利用所述电极对该有限元模型进行数据采集，根据采集到的数据计算差分电压信号yi=vi?v0，其中，vi为当前时刻的电压信号，v0为参考信号；（3）计算三维图像的待测体的电导率变化近似值其中，P=R?1，R为先验条件，J为电导率敏感度矩阵，T为J的转置，λ为正则化参数，V=W?1,W为反映

专利地区：四川