单斜相Ga2S3晶体在光学上的应用专利登记公告
专利名称：单斜相Ga2S3晶体在光学上的应用
摘要：本发明提供一种单斜相Ga2S3晶体可作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。该晶体具有大的非线性光学系数，倍频信号约为KTP的0.7倍，且在1910?nm处相位匹配，在1064?nm下激光损伤阈值为174?MW/cm2，高于AGS和LiInS2，可作为良好的非线性光学晶体材料。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210191288.6
专利申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所
专利发明（设计）人：张明建;郭国聪
主权项：单斜相Ga2S3作为红外波段二阶非线性光学材料的应用。
专利地区：福建
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目，不代表该专利由我公司代理取得，上述专利权利属于专利权人，未经（专利权人）许可，擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利，请搜索专利权人联系方式，获得专利权人的授权许可。