半导体接合焊盘结构以及集成电路专利登记公告

专利名称：半导体接合焊盘结构以及集成电路

摘要：本发明提供了一种半导体接合焊盘结构以及集成电路。根据本发明的半导体接合焊盘结构包括中心部分以及外周部分；其中，所述中心部分为裸露出的金属薄膜；所述外周部分的表面上布置了钝化层，并且在所述外周部分中形成有通孔；并且，所述中心部分的外周布置了凹槽；并且，所述中心部分的每个凹槽外周均布置了凹槽钨墙。根据本发明，由于凹槽被凹槽钨墙阻挡，所以从下层挥发出的氟被阻挡，从而不会腐蚀上层金属表面，从而不会造成电路腐蚀。其次，本发明实施例的结构利用凹槽钨墙将凹槽包围起来，从而通过凹槽钨墙来阻挡水汽进入下层结构，从而提高了防

专利类型：发明专利

专利号：CN201210191448.7

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：黎坡

主权项：一种半导体接合焊盘结构，其特征在于包括：中心部分以及外周部分；其中，所述中心部分为裸露出的金属薄膜；所述外周部分的表面上布置了钝化层，并且在所述外周部分中形成有通孔；并且，所述中心部分的外周布置了凹槽；并且，所述中心部分的每个凹槽外周均布置了凹槽钨墙。

专利地区：上海