以PEG作为模板剂制备介孔β-Ga₂O₃纳米棒光催化剂的方法专利登记公告

专利名称：以PEG作为模板剂制备介孔β-Ga₂O₃纳米棒光催化剂的方法

摘要：本发明属于光催化剂材料及其制备技术领域，旨在提供一种以PEG作为模板剂制备介孔β-Ga2O3纳米棒光催化剂的方法。该方法以含镓化合物、碱性物质为原料，以PEG作为模板剂，采用水热合成法制备介孔β-Ga2O3纳米棒光催化剂。本发明可以有效的控制晶体的生长，改善催化剂的晶型结构，增加催化剂的比表面积，产生丰富的氧空位或镓-氧空位对，增强催化剂的光响应强度，进而提高催化剂的光催化效率。在光催化氧化分解甲苯的实验中，经PEG改性的β-Ga2O3的光催化效率是未经PEG改性的1.2~10倍。本发明工艺简便，参数可调

专利类型：发明专利

专利号：CN201210191942.3

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：赵伟荣;张静;王琰

主权项：以PEG作为模板剂制备介孔β?Ga2O3纳米棒光催化剂的方法，其特征在于，是以含镓化合物、碱性物质为原料，以PEG作为模板剂，采用水热合成法制备介孔β?Ga2O3纳米棒光催化剂，其具体制备过程如下：（1）将含镓化合物、碱性物质、PEG、去离子水混合，室温下搅拌1~4小时至完全溶解，在100~300℃水热处理6~24小时；（2）冷却后抽滤分离，先用去离子水洗涤3~5次，再用无水乙醇洗涤3~5次，在?100~200℃干燥1~4小时，研磨得到白色粉末GaOOH；（3）将上述GaOOH转移至于马弗炉中，在500~

专利地区：浙江