一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极及其制备方法专利登记公告
专利名称：一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极及其制备方法
摘要：本发明提供了一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极，由Ni基体和覆于所述Ni基体表面的NiO薄膜组成，所述NiO薄膜由垂直于所述Ni基体表面的原位生长的NiO纳米片阵列组成，所述NiO纳米片为六边形片状结构。本发明还提供了该电极的制备方法如下：一、将Ni基体预处理；二、将预处理的Ni基体进行阳极氧化处理，得到Ni基NiO多孔膜；三、将Ni基NiO多孔膜进行蒸汽热处理，得到Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极。本发明制备工艺简单，工艺流程短，生产效率高；采用本发明制备的Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极的比表面积大，孔隙
专利类型：发明专利
专利号：CN201210195337.3
专利申请（专利权）人：西北有色金属研究院
专利发明（设计）人：李纲;张文彦;李广忠
主权项：一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极，由Ni基体和覆于所述Ni基体表面的NiO薄膜组成，其特征在于，所述NiO薄膜由垂直于所述Ni基体表面的原位生长的NiO纳米片阵列组成，所述NiO纳米片为厚度为20nm～25nm、边长为0.5μm～2.0μm的六边形片状结构。
专利地区：陕西
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