一种双漏极型CMOS磁场感应晶体管及其制作方法专利登记公告

专利名称：一种双漏极型CMOS磁场感应晶体管及其制作方法

摘要：本发明公开了一种双漏极型CMOS磁场感应晶体管及其制作方法，包括P型衬底，两个n+漏极掺杂区，n+源极掺杂区，p+衬底接触掺杂区，多晶硅栅极，二氧化硅氧化层，先在P型衬底上生成二氧化硅氧化层和多晶硅栅极，然后在多晶硅栅极两侧分别生成源极n+重掺杂区和漏极n+重掺杂区以及p+衬底接触掺杂区，其中漏极n+重掺杂区分为两个相同区域，中间间隔一定距离。这种双漏极结构可利用磁场对晶体管下方形成的反型层中载流子的作用来实现对磁场的感应，与标准CMOS工艺完全兼容，同时相比霍尔盘结构的磁传感器有更低的功耗。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210197505.2

专利申请（专利权）人：湖南追日光电科技有限公司

专利发明（设计）人：郭晓雷;金湘亮

主权项：　一种双漏极型CMOS磁场感应晶体管，其特征在于：包括P型衬底，两个n+漏极掺杂区，n+源极掺杂区，多晶硅栅极，二氧化硅氧化层，先在P型衬底上生成二氧化硅氧化层和多晶硅栅极，然后在多晶硅栅极两侧分别生成源极n+重掺杂区和漏极n+重掺杂区，以及p+衬底接触掺杂区，多晶硅栅极的长度为L，源极n+重掺杂区的宽度为W，其中漏极n+重掺杂区分为两个相同区域，中间间隔为d。

专利地区：湖南