一种原子尺度石墨烯沟槽的制备方法专利登记公告

专利名称：一种原子尺度石墨烯沟槽的制备方法

摘要：本发明公开了一种原子尺度石墨烯沟槽的制备方法，该方法首先制备石墨烯，并将其放置在耐高温衬底上或者悬空；然后在石墨烯表面淀积单个金属原子或由若干原子组成的金属原子簇；单金属原子或原子簇金属在设定温度400℃～800℃和Ar/H2氛围下刻蚀石墨烯，形成原子尺度石墨烯沟槽，随后自然冷却至室温后取出，并保存在干燥、真空或超净环境内。本发明刻蚀形成的石墨烯槽具有原子尺度平整的边缘，而且边缘手性一致，减小了边缘缺陷对石墨烯性能的影响。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210213139.5

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：魏子钧;叶天扬;李晨;傅云义;黄如;张兴

主权项：一种原子尺度石墨烯沟槽的制备方法，其步骤包括：1)制备石墨烯，并将其放置在耐高温衬底上或者悬空；2)在石墨烯表面淀积单个金属原子或由若干原子组成的尺度在10nm以下金属原子簇；3)单个金属原子或金属原子簇在设定温度400℃~800℃和Ar/H2氛围下刻蚀石墨烯，随后自然冷却至室温后取出，并保存在干燥、真空或超净环境内。

专利地区：北京