一种窄线宽可调谐半导体纵向单端泵浦铷蒸气激光光路系统专利登记公告

专利名称：一种窄线宽可调谐半导体纵向单端泵浦铷蒸气激光光路系统

摘要：本实用新型公开了一种窄线宽可调谐半导体纵向单端泵浦铷蒸气激光光路系统。由可调谐半导体激光功率放大系统、光束耦合系统和谐振腔系统组成。使用窄线宽可调谐的泵浦光源，将其波长调至铷蒸气吸收线的中心波长，使铷蒸气对泵浦光的单程吸收高达97%。在铷池内充入600Torr的乙烷气体，增加铷原子从泵浦上能级到激光上能级的弛豫速率，保障铷蒸气激光产生的条件。通过在凹面全反镜与控温箱间加入1/4波片，将凹面全反镜与平面输出耦合镜调至同轴，构成稳定的平凹谐振腔。使用可控的温度控制方法，使铷蒸气池窗口的温度高于其中间5度，避免了铷蒸气在窗口的沉积，在保持最小功率损耗的同时延长了铷池的使用寿命，保证了激光的稳定输出。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN201220697904.0

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：杨静;潘佰良;沈炳林;杨亚男;罗静波;钱爱青

主权项：一种窄线宽可调谐半导体纵向单端泵浦铷蒸气激光光路系统，其特征在于：ECL801型窄线宽半导体激光器(1)发出的种子激光依次经第一隔离器(2)、第一平面全反镜(3)、第一半波片(4)、第二平面全反镜(5)后通过TAL100型半导体激光放大器(6)放大入射至第二隔离器(7)后，再经第二半波片(8)、聚焦透镜(9)、偏振分束镜(10)至温控箱(11)中的铷蒸气池(12)，铷蒸气池(12)中的基态铷原子吸收泵浦光后被激发到泵浦上能级，再与铷蒸气池(12)中的乙烷碰撞被转移到激光上能级，产生铷蒸气激光，未被吸收的泵

专利地区：浙江