采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管专利登记公告
专利名称：采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管
摘要： 薄膜场效应管用MPX做开关半导体,M是至少一种碱金属,P是至少一种氮族元素,X从15到无穷.公开的金属绝缘半导体和金属半导体场效应管中半导体可掺0.5%的镍、铁或铭而不增加导电率也可掺杂0.5-1%以增加导电率.源与漏极下的区域掺杂2-3%以提供良好电接触.绝缘层最好用P3N5以保持材料的化学连续性,氮族元素最好在有过剩P4的氩气氛中用射频等离子溅射法淀积,P3N5也用P4但在氮气氛中由该方式淀积,各层相邻时不必打开真空即可完成淀积.
专利类型：发明专利
专利号：CN85103742
专利申请（专利权）人：斯托弗化学公司
专利发明（设计）人：刘易斯A·邦茨; 罗泽利·莎赫特; 马塞罗·维斯高里里欧斯
主权项： 一个薄膜晶体管包括，在其中作为开关半导体部份的一层ＭＰｘ薄膜，其中Ｍ是至少为一种碱金属，Ｐ是至少为一种氮族元素，并且ｘ的范围大体上是在１５至无穷大之间。
专利地区：美国
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目，不代表该专利由我公司代理取得，上述专利权利属于专利权人，未经（专利权人）许可，擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利，请搜索专利权人联系方式，获得专利权人的授权许可。