二氧化碲单晶体的生长技术专利登记公告

专利名称：二氧化碲单晶体的生长技术

摘要： 一种属于晶体生长技术的二氧化碲(TeO₂)单晶体生长.其特征在于用坩埚下降法可生长多种切向和形状的单晶体.利用本技术可沿[100][001][110]方向并可沿其中任一方向生长方棒、椭圆形、菱形、板状及圆柱形晶体.所生长晶体可达(70-80)mm×(20-30)mm×100mm.本方法与一般提拉法比具有设备简单,不受提拉方向和切形限制,基本无污染等优点,而且晶体利用率可相应提高30-100%.

专利类型：发明专利

专利号：CN85107803

专利申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所

专利发明（设计）人：蒲芝芬; 葛增伟

主权项： 一种属于晶体生长技术领域的生长多种切向和形状的二氧化碲（ＴｅＯ↓［２）单晶体的技术，包括原料预烧处理、冷却退火等方面，其特征在于用坩埚下降法生长多种切向和形状的ＴｅＯ↓［２］晶体。

专利地区：上海