高密度互补型金属氧化物半导体集成电路制造工艺专利登记公告

专利名称：高密度互补型金属氧化物半导体集成电路制造工艺

摘要： 一种利用最小数量掩膜板的双阱互补型金属氧化物半导体工艺来制造诸如动态读写存贮器等的半导体器件.在氮化物构成的凹口里形成场氧化物隔离区,因而提供一个比较平坦的表面,并且使产生的侵蚀最少.用硅化、离子注入,源极/漏极区、对栅的自对准、在侧壁氧化层安置好后使用一种注入物、提供轻掺杂的漏极来构成P沟和N沟晶体管.P沟和N沟晶体管的阈值电压是通过区槽注入,而不是通过对于阈值电压调整的分离离子注入步骤来建立的.

专利类型：发明专利

专利号：CN85108372

专利申请（专利权）人：得克萨斯仪器公司

专利发明（设计）人：罗伯特R·通尔林; 迈克尔P·德奎; 格雷戈里J·阿姆斯特朗

主权项： 一种制造互补型金属氧化物半导体双阱半导体器件的方法，包括以下步骤：　　将Ｎ杂质注入到Ｐ型硅体表面一个选定的区域里，造成一个Ｎ阱区，并在所述Ｎ阱区上面生长第一层氧化物，　　使用所述的第一层氧化物作为掩膜，将Ｐ杂质注入到所述的表面，从而形成一个Ｐ阱区，并对所述的硅体进行热处理而驱使所述的Ｎ阱和Ｐ阱进入到所述的表面，　　在所述表面上形成一层氧化掩膜，并在所述Ｐ阱区里的所述掩膜里开一个孔，然后，在所述的孔里腐蚀一个凹口，腐蚀到所述孔里所述表面的硅里，　　在所述的凹口里氧化所述的硅，从而造成一个延伸到所述表面里的场氧化隔离区，场氧化物有一个上表面，同上述的表面差不多在同一平面，　　在所述的表面上加一层导电材料，并在上述层上形成图案以使在上述的Ｎ阱和Ｐ阱区上留下栅层。　　使用所述的栅层作为掩膜，将Ｎ＋杂质注入到Ｎ阱和Ｐ阱区里，以在Ｐ阱区里形成Ｎ沟晶体管的Ｎ＋源极／漏极，　　使作栅层和一个光刻胶涂层作为掩膜，将Ｐ＋杂质仅注入到Ｎ阱区，在Ｎ阱区里形成Ｐ＋源极用／漏极区，其浓度比在所述的Ｎ＋源极／漏极里的高得多。

专利地区：美国