一种低高压驱动器专利登记公告
专利名称：一种低高压驱动器
摘要： 本发明是一种低高压驱动器,用标准N阱CMOS工艺将低压CMOS电路与高压驱动电路兼容在同一个芯片上,与已有的同功能的双极型结构相比,具有低功耗、高输入阻抗、高抗干扰的优点,与已有的MOS高压器件相比,采用一次离子注入可同时形成低压电路的N阱与高压电路的漂移区,从而工艺简单.本发明可广泛用于计算机输出接口、机电设备的驱动及高压显示等领域.
专利类型：实用新型专利
专利号：CN85200131
专利申请（专利权）人：南京工学院
专利发明（设计）人：庄庆德
主权项： 一种低高压驱动器，其特征是将工作在低电压（５－１５Ｖ）的ＣＭＯＳ与非门与高耐压ＮＭＯＳ晶体管制作在同一个芯片上。
专利地区：江苏
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