ＰＭＯＳ低高压转换电路专利登记公告

专利名称：ＰＭＯＳ低高压转换电路

摘要： 一种新型的ＰＭＯＳ低高压转换电路。$本电路在结构上采用Ｐ阱作漂移区，故无需附加任何工艺步骤，就可以与Ｐ阱ＳＩ珊等平面ＣＭＯＳ工艺兼容；在工艺上采用Ｐ阱SI珊等平面工艺，实现本发明高压ＰＭＯＳ器件的集成，也可以使常规Ｐ阱ＣＭＯＳ集成电路与高压ＭＯＳ器件集成于同一芯片上。同时利用Ｐ阱和场氧化层实现漏、源、沟道的自对准。$本电路采用了运动场或圆形结构图形，Ｐ阱作漂移区和延伸源场极，并采用了低温工艺，聚酰亚胺钝化等先进行工艺技术。$本电路可应用于交流高压等离子显示。场致发光、静电复印和其他低高压开关电路等领域。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN85200132

专利申请（专利权）人：南京工学院

专利发明（设计）人：唐国洪

主权项： 一种ＰＭＯＳ低高压转换电路由漏区［ｒ↓［ｄ］］、漂移区［Ｌｄ］、沟道区［Ｌ］、源区［Ｌｓ］和源场极［Ｌｓｆ］组成，其特征是在漏区和沟道区之间隔着一个Ｐ阱作漂移区，源区通过铝引线延伸复盖至漂移区形成源场极；电路器件的平面图形呈运动场图形。

专利地区：江苏