铝栅MOS/双极复合功率管专利登记公告

专利名称：铝栅MOS/双极复合功率管

摘要： 本发明属于集成功率器件.由MOS管作为输入级,双极型管作为输出级在同一芯片上以达林顿形式组成.该管具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点.采用以铝栅工艺为主体的MOS/双极兼容工艺,MOS管的漏区与一只双极型管的基区为同一扩散区(2),衬底材料采用三重扩散片(9),(10).使用同一套光刻版,只要改变衬底掺杂和各次扩散掺杂的性质,可以分别做成PMOS/nPn复合功率管或nMOS/pnp复合功率管.本发明可做为高输入阻抗的低频大功率器件使用.

专利类型：实用新型专利

专利号：CN85200134

专利申请（专利权）人：南京工学院

专利发明（设计）人：蔡世俊; 茅盘松; 詹娟

主权项： 一种ＭＯＳ管作为输入级，双极型管作为输出级，在同一芯片上以达林顿形式组成的复合功率管，其特征在于该管由铝栅ＭＯＳ管与两只双极型晶体管以串联形式组成。

专利地区：江苏