自激励同轴腔水份测量传感器专利登记公告

专利名称：自激励同轴腔水份测量传感器

摘要： 一种属于微波非电量测量领域的工作频率为1-1.3千兆赫的、自激励同轴腔水份测量传感器,其特征在于将原来放在谐振腔腔外的晶体管等部件装置在同轴型谐振腔腔内,并发明了套在内导体上的绝缘导电套筒式耦合电容,使得传感器结构更为简单,测量范围广、灵敏度提高.本传感器适用于对各种碎屑状、粉状固体介质或液体、半流体介质的含水量进行测量.

专利类型：实用新型专利

专利号：CN85200299

专利申请（专利权）人：华东师范大学

专利发明（设计）人：伏寿椿; 火真棣; 沈成耀

主权项： 一种由同轴谐振腔、晶体管电路组成的自激励同轴腔水份测量传感器，其特征在于晶体管部分是放在谐振腔腔内的，传感器的能量反馈电容是一个套在内导体（１４）上的绝缘导电套筒式（１５）耦合电容。

专利地区：上海