半导体钙离子传感器专利登记公告

专利名称：半导体钙离子传感器

摘要： 半导体钙离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头,它是由Mos管,敏感膜、电极杆组装成.由Mos管栅极引出一根铂丝,在其表面涂复一层敏感膜,此膜用二(2--辛基苯基磷酸)钙组成,Mos管引出的探头接口处用硅橡胶密封.此电极测试性能稳定,灵敏度高,能专一的检测待测液中钙离子的活度.

专利类型：实用新型专利

专利号：CN85201229

专利申请（专利权）人：南京大学

专利发明（设计）人：付庭治; 黄德培; 朱春生

主权项： 半导体钙离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头，它是由ＭＯＳ管，敏感膜、电极杆组装成。本发明的技术特点是敏感膜由二（２—辛基苯基磷酸）钙，四氢呋喃、ＰＶＣ粉和邻苯二甲酸二丁酯制成。在ＭＯＳ管栅极上引出铂丝，先将铂丝表面用乙醇和乙醚处理，然后在铂丝表面涂复敏感膜。ＭＯＳ管与铂丝接口处用硅橡胶密封成为探头。

专利地区：江苏