半导体基片专利登记公告

专利名称：半导体基片

摘要：本实用新型开创了具有如下特征的半导体基片:它是在具有(100)面的单晶硅基片上偏离(011)面的角度小于90°的位置上形成定向面．

专利类型：实用新型专利

专利号：CN85201474

专利申请（专利权）人：夏普公司

专利发明（设计）人：浅井正人

主权项：半导体基片其特征为在具有（１００）面的单晶硅基片上偏离（０１１）面的角度小于９０°的位置上形成定向面。

专利地区：日本

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