氮氢保护气体链式烧结炉专利登记公告

专利名称：氮氢保护气体链式烧结炉

摘要： 本实用新型为半导体芯片烧结与封装提供一种结构简单、安全、省气的链式烧结炉。这种烧结炉采用掺适量氢的纯化氮作保护气体，在传送链带上设置一系列气体防护挡板，挡板随链带一起运动，保护气体从位于烧结管两端的气体防护挡板与烧结管壁之间的狭缝中不断快速向外排出，便形成了有效的防护屏障，阻止外界气体进入炉管，防止焊料氧化，使被烧结器件例如半导体芯片与底座牢固的烧结在一起。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN85203863

专利申请（专利权）人：刘江禄; 房振华

专利发明（设计）人：刘江禄; 房振华

主权项： 一个半导体芯片烧结及封装用的链式烧结炉，它是由传送链带「１」、烧结管「２」、加热炉「９」、冷却水套「１１」、驱动系统「１２」、排气管「１４」以及抽风机「１５」等组成。其特征是在传送链带「１」上设置一系列气体防护档板「３」。

专利地区：浙江