半导体钾离子传感器专利登记公告

专利名称：半导体钾离子传感器

摘要： 半导体钾离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头，它是由Ｍｏｓ管、敏感膜、电极杆组成，其特征是敏感膜用双冠醚组成，Ｍｏｓ管引出的探头接口处，用硅橡胶密封，能专一性的测定待测液钾离子活度。该电极具有性能稳定、灵敏度高等优点。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN85205673

专利申请（专利权）人：南京大学

专利发明（设计）人：朱春生; 黄德培; 王德∴; 付庭治; 胡宏纹

主权项： 一种由ＭＯＳ管、敏感膜、电极杆所组成的半导体钾离子传感器，其特征是：用乙醇和乙醚预先处理，由ＭＯＳ管栅极上引出的铂丝，然后在铂丝上涂复由双冠醚、四氢呋喃、ＰＶＣ粉和邻苯二甲酸二丁酯制成的敏感膜，ＭＯＳ管与铂丝接口处用硅橡胶密封成传感器的探头。

专利地区：江苏