半导体器件专利登记公告

专利名称：半导体器件

摘要： 一种制造带有半自对准P+型基极接触(27、27a)的双极晶体管(1)。P型基区28形成在n型区(5)的表面区中，n型区5具有一个集电极。例如是n+掺杂多晶硅的且具有一个发射极的电极区(29)形成在与基区28接触的表面上。基区接触区(27、27a)是利用注入方式且把电极区(29)作为掩模而形成的。使n+型集电极接触区(25)伸到n型区(5)中。

专利类型：发明专利

专利号：CN86103793

专利申请（专利权）人：标准电话电报公共有限公司

专利发明（设计）人：彼得·丹尼斯·斯科维尔;彼得·弗里德·布洛姆利;罗格·莱斯利·巴克

主权项：1、一种制造带有半自对准基极接触的双极晶体管的方法，其中包括在硅衬底上的另一种导电类型的表面区域中形成第一种导电类型基区的步骤，在表面上形成一个部分并与基区接触的步骤，该被掺杂部分为另一种导电类型并构成晶体管的发射极，在上述与基区接触并互相对应的表面区域上用该部分作掩模通过注入形成一对第一种导电类型基极接触区的步骤，以及在上述表面上与基极接触区隔开的区域形成另一种导电类型的集电极接触步骤。

专利地区：英国