在半导体衬底材料接触区制作电接触的方法专利登记公告

专利名称：在半导体衬底材料接触区制作电接触的方法

摘要： 在制造电接触(1)时,使用了多晶硅电极层(4),其边缘搭在与衬底(3)连接的绝缘物上,至少搭在边缘(52)的部分斜坡上.电极层(4)在腐蚀工艺中用做限定侧向边界的掩膜.于是,在电极层(4)的边缘下面形成一个框架形薄层(5),并露出与薄层(5)相邻的衬底(3)的接触区(2).再淀积可以形成硅化物的金属层,其厚度小于薄层(5)的厚度.当加热形成硅化物后,没有与硅反应的金属,用选择性溶解金属腐蚀剂去除.

专利类型：发明专利

专利号：CN86105085

专利申请（专利权）人：德国ITT工业股份有限公司

专利发明（设计）人：洛萨尔·布洛斯费尔德

主权项： 一种在半导体材料衬底（３）的接触区（２）上制造电接触的方法，紧靠多晶硅电极层（４），多晶硅在电极层（４）的接触面（６）与衬底（３）相连接，电极层（４）的边缘至少有一部分在与衬底（３）相连的绝缘的框架形薄层（５）之上，其特征在于：　　用电极层（４）做为腐蚀工艺的侧面边界，至少使框架形薄层（５）一部分绝缘和衬底（３）上与其相邻的接触区（２）露出来。　　随后在片子露出的表面上淀积一层可以形成金属硅化物的金属层。其厚度小于上述薄层（５）的厚度。　　随后适当加热片子，使金属与其下面电极层（４）以及衬底（３）的硅生成金属硅化物，而与绝缘物不起化学反应。　　在加热和冷却之后，对没有与硅起反应的金属，用选择性的只溶解该金属的腐蚀剂将其去掉。

专利地区：德国