用等离子体增强的化学气相沉积法沉积垂直方向电阻的方法专利登记公告

专利名称：用等离子体增强的化学气相沉积法沉积垂直方向电阻的方法

摘要： 经过改良的、用于MOS集成电路的电阻.在一层隔离两个导电区域的绝缘层里开一个孔.通过等离子增强的化学气相沉积法,如同富硅氮化物的钝化材料便被沉积在该窗口之中,该沉积物与两个导电区都接触、从而在这两区之间形成垂直方向的电阻.

专利类型：发明专利

专利号：CN86107982

专利申请（专利权）人：英特尔公司

专利发明（设计）人：利澳波多·D·邱; 陈士欧; 林义雄

主权项： 半导体器件中制造两个导电区之间的电阻的方法，其特征在于包括在所述的导电区之间形成一层用等离子体增强的化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ）沉积的半绝缘薄膜，所述的薄膜与所述的两个导电区均接触并在所述的导电区之间产生电阻，由此制成电阻元件。

专利地区：美国