垂直倒相器电路专利登记公告

专利名称：垂直倒相器电路

摘要： 本发明实施例中包括一种垂直倒相器(31,32,33).在一块N型衬底的表面,形成一层P型材料层,再依次形成一层N型层;一层P型层;一层N型和一层P型层(在制备过程中,可以掺各种不同的杂质,这并不超出本发明的范畴).再沿着以上述方法形成的叠层的一侧蚀刻一条沟槽,在P型和N型层的中间形成一接线端.再形成另一沟槽,其中有一栅极绝缘体和一栅极(A,B).该栅极作为以上述方法形成的N型沟道和P型沟道晶体管的栅极.

专利类型：发明专利

专利号：CN86108046

专利申请（专利权）人：得克萨斯仪器公司

专利发明（设计）人：阿什温·H·萨; 巴拉布·K·查特尔基

主权项： 一种集成电路电子器件，本发明的特征在于，该器件包括：一个第一导电类型的衬底；　　一个第二导电类型的第一沟道层，沟道层形成在所述衬底的表面；　　一个所述第一导电类型的第一漏极层，此漏极层形成在所述第一沟道的层表面；一个所述第二导电类型的第二漏极层，此漏极层形成在所述第一漏极层的表面；　　一个所述第一导电类型的第二沟道层，此沟道层形成在所述第二漏极的层表面；　　一个所述第二导电类型的源极层，此源极层形成在所述第二沟道层的表面；　　一个导电的栅极，垂直地布置在一个和所述第一和第二沟道层，所述第一和第二漏极层以及所述源极层的平面相垂直的边缘上，并和这些层相邻，其中所述栅极与所述层之间互相绝缘；　　一个导电区与所述第一和第二漏极层相连接。

专利地区：美国