外腔粘接型窄线宽单模半导体激光器专利登记公告

专利名称：外腔粘接型窄线宽单模半导体激光器

摘要： 本实用新型具有如下特征：（１）由半导体激光二极管、自聚焦透镜和部分反射镜组成长耦合腔，其中半导体激光二极管在耦合腔一侧的端面、自聚焦透镜的两个端面镀有增透膜；（２）全部机械结构粘接为一个整体；（３）在密封外壳内部充有保护气体；本实用新型线宽≤１ＭＨｚ，体积小（25×30×70ｍｍ³），使用时不需机械调整，在室温下，不经任何反馈控制，单模稳定时间≥１小时。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN86202829

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：许知止; 陈家骅; 霍玉晶; 周炳琨

主权项： 一种外腔单模半导体激光器，由半导体激光二极管、自聚焦透镜、反射镜、调整机构和致冷装置组成，其特征在于由位于耦合腔一侧端面镀有适当增透介质膜的半导体激光二极管的两个端面构成本征腔，用两端镀有增透介膜的自聚焦透镜和介质膜部分反射镜构成光反馈和光输出系统，由半导体激光二极管未镀膜的端面和介质膜部分反射镜形成长耦合长腔，全部结构用粘接剂粘接为一个整体，密封在外壳内，壳内充有保护气体。

专利地区：北京