高能量γ射线刻度源装置专利登记公告

专利名称：高能量γ射线刻度源装置

摘要： 本实用新型涉及一种高能量γ射线刻度源装置。它是利用Ａｍ—Ｂｅ等放射性中子源，经过慢化，在铁、镍和二氯化镁辐射样品上产生热中子俘获反应获得能量在５～１０Ｍｅｖ的单色γ射线，用以刻度Ｇｅ（Ｌｉ），ＨＰＧｅ和ＮａＩ（Ｔｌ）等γ射线探测器的能量线性、能量分辨以及相对效率。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN86204889

专利申请（专利权）人：中国原子能科学研究院

专利发明（设计）人：叶宗垣; 李景文; 跃钢; 施德棠

主权项： 一种高能量γ射线刻度源装置，由中子源、慢化层、辐射体组成，其特征在于利用放射性中子源，经慢化层慢化为热中子与辐射体引起热中子俘获产生单色特征γ射线，用于刻度γ射线探测器。

专利地区：北京