CMOS电路直接触发的可控硅交流控制装置专利登记公告

专利名称：CMOS电路直接触发的可控硅交流控制装置

摘要： 本实用新型涉及一种灵敏的可控硅交流控制装置，由运行于交流市电的ＣＭＯＳ电路直接触发由两支单向可控硅和一支二极管组成的准双向可控硅，或由准双向可控硅和一支双向可控硅组成的大功率复合可控硅。本实用新型以微安级触发电流，即能实现小功率交流负载的控制，也可以实现对几安、几十安至几百安甚至更大交流负载的控制。利用本实用新型的准双向可控硅和复合可控硅可以组成以微安级电流控制触发的新型通用的双向可控硅系列。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN86206231

专利申请（专利权）人：广东省农业机械研究所

专利发明（设计）人：庄建方; 许斯乾

主权项： 一种可控硅交流控制装置，由ＣＭＯＳ触发电路部分和可控硅部分组成，其特征是：　　ａ、由ＣＭＯＳ电路２的输出端直接触发的可控硅部分为准双向可控硅３，准双向可控硅３由单向可控硅ＳＣＲ１、ＳＣＲ２和二极管Ｄ２组成，Ｄ２的正极与ＳＣＲ２的阴极Ｋ相联后，经负载ＲＺ接交流市电的一端，Ｄ２的负极与ＳＣＲ１的阳极Ａ和ＳＣＲ２的控制极Ｇ相联，ＳＣＲ１的阴极Ｋ和ＳＣＲ２的阳极Ａ相联后，接交流市电的另一端，ＣＭＯＳ电路２的输出端Ｑ经电阻Ｒ２接ＳＣＲ１的控制极Ｇ；　　ｂ、准双向可控硅３和双向可控硅ＳＣＲ３组成复合可控硅４，ＳＣＲ

专利地区：广东