聚偏氟乙烯薄膜激光辐射探测器专利登记公告

专利名称：聚偏氟乙烯薄膜激光辐射探测器

摘要： 本实用新型是一种使用聚偏氟乙烯薄膜(PVDF)作为敏感材料的热释电型激光辐射探测器.这种探测器灵敏度为5-10V/J,响应时间小于0.5ms.它能直接检测波长范围从0.25μｍ至25μｍ.功率密度高达100MW/cm²的脉冲激光辐射.

专利类型：实用新型专利

专利号：CN86207853

专利申请（专利权）人：中国科学院物理研究所; 中国科学院传感技术公司

专利发明（设计）人：王树铎; 范良藻

主权项： 一种由热敏传感元件、吸收体组成的热释电型辐射探测器，其特征在于：ａ、热敏传感元件和吸收体呈可分离式组合结构、ｂ、采用ＰＶＤＦ薄膜热释电材料作热敏传感元件，其一侧电极为镀金（或镀银）的敷铜板，另一侧电极为带金属框带的定向沉积石墨吸收体。

专利地区：北京