具过渡层的光接受体及其制备方法专利登记公告

专利名称：具过渡层的光接受体及其制备方法

摘要： 一种具有过渡层的光接受体及其制作方法，涉及静电复印中的功能分离型非晶硅—非晶氮化硅光接受体及其制作。本发明的光接受体组成是：α—SiN_x∶H表面保护层，α—Si∶H光敏层，α—SiN_x∶H过渡层，α—SiN_x∶H传输层及金属铝衬底，（X为原子数之比）将其置于阴极上，用ＳｉＨ₄，H₂，NH₃，B₂H₆等按一定配比的混合气体通入反应室，使衬底温度保持１９０－２５０℃，射频（表观）功率２５Ｗ－６０Ｗ，即可沉积各功能层。本发明可获高表面电压（≥±３００Ｖ）及低的残余电压（≤±２０Ｖ）。制作方法简便，省时，为普通沉积法的两倍。

专利类型：发明专利

专利号：CN87101140.9

专利申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所

专利发明（设计）人：池东植; 程如光

主权项： 一种结构功能分离型光接受体，其特征在于，Ａ由下列各层组成α－ＳｉＮ↓［ｘ］∶Ｈ作表面保护层，（１０１），α－Ｓｉ：Ｈ作光敏层，（１０２），　　α－ＳｉＮ↓［ｘ］：Ｈ作过渡层，（１０３），　　α－ＳｉＮ↓［ｘ］：Ｈ作传输层，（１０４），　　（Ｘ为Ｎ／Ｓｉ原子数之比：０．４～１．３）　　金属铝作衬底（置于阴极上），（１０５）；　　Ｂ，各层厚度是　　ｄ↓［１０１］≥６００埃，ｄ↓［１０２］≥１μｍ，　　ｄ↓［１０３］≥０．１μｍ，　　ｄ↓［１０４］≥２μｍ。

专利地区：上海