单个线圈产生纵向磁场的真空灭弧室专利登记公告

专利名称：单个线圈产生纵向磁场的真空灭弧室

摘要： 本实用新型属于电器装置中的真空开关。市场上现有的真空开关主要采用横向磁吹式与双线圈结构的纵向磁场线圈灭弧室。而双线圈结构灭弧室主要问题是触头间隙的纵向磁场分布不匀，触头表面未被充分利用，本实用新型的特征是采用单线圈结构。这样，就可以克服双线圈结构灭弧室的缺点，从而可以提高真空开关的开断能力，并且加工工艺也简单，材料消耗也可以减少，体积缩小，成本降低。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN87200422

专利申请（专利权）人：西安交通大学

专利发明（设计）人：王秀梅; 尚文凯

主权项： 真空开关中的真空灭弧室具有双线圈结构的触头和主屏蔽罩，本实用新型的特征在于真空灭弧室内仅用单个线圈，并且可根据设计要求将该线圈设计成１匝，１／２匝，１／３匝或１／４的纵向磁场线圈主屏蔽罩（４）。

专利地区：陕西