氮化硅涂层坩埚专利登记公告
专利名称：氮化硅涂层坩埚
摘要： 本实用新型是关于直拉单晶硅用的坩埚，其特点是在坩埚基体上涂敷了一层Ｓｉ３Ｎ４涂层采用常压化学气相淀积法制备。坩埚基体材料既可是石英（ＳｉＯ２）玻璃，也可是石墨。Ｓｉ３Ｎ４具有优良的物理机械性能，并不与熔硅起反应，它把熔硅和石英隔开，避免了熔硅对石英坩埚内壁的侵蚀，达到降低单晶硅杂质含量的目的。
专利类型：实用新型专利
专利号：CN87206316
专利申请（专利权）人：清华大学
专利发明（设计）人：杜光庭; 周卫; 侯悦
主权项： 一种直拉单晶硅用的坩埚，其特征在于在石英或石墨坩埚基体上涂敷了一层Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］。
专利地区：北京
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