双栅形高压ＭＯＳ集成电路专利登记公告

专利名称：双栅形高压ＭＯＳ集成电路

摘要： 双栅型高压ＭＯＳ集成电路属半导体集成电路领域，它采用多个相同的双栅型高压ＮＭＯＳ器件组成，每个器件都采用双栅结构，利用双栅结构增大寄生双极晶体管的有效基区宽度，抑制寄生双极晶体管的激活，从而防止负阻击穿，与此同时，在电流能力不变条件下，面积仅比单栅器件有少量增加；本实用新型结构简单，制备方便，可采用标准ｎ阱ＣＭＯＳ工艺实现，它可在等离子体显示、场致发光、打印和复印执行机构等自动控制和测量系统中作为驱动器而得到广泛应用。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN87208602

专利申请（专利权）人：南京工学院

专利发明（设计）人：童勤义; 吴伟

主权项： 双栅高压ＭＯＳ集成电路由高压ＮＭＯＳ器件组成，其特征在于ｎ个相同的高压ＮＭＯＳ器件采用双栅型结构，即由一个低压ＮＭＯＳ管和一个高压ＮＭＯＳ管串联，低压ＮＭＯＳ管的源与衬底相联，低压ＮＭＯＳ管的漏区和高压ＮＭＯＳ管的源区为公共区，高压ＮＭＯＳ管的漏区为漂移区，所有器件的源极连在一起。

专利地区：江苏