ＭＯＳ栅控横向晶闸管专利登记公告

专利名称：ＭＯＳ栅控横向晶闸管

摘要： ＭＯＳ栅控横向晶闸管是一种新型结构的晶闸管。组成晶闸管的ＰＮＰＮ层为横向结构。采用ＭＯＳ管和双极型晶体管复合构成，ＭＯＳ管的漏区和双极型晶体管的基区为公用区。由于采用ＭＯＳ管的栅控制晶闸管的导通，故可以用低压数字电路直接控制；由于晶闸管的三个电极都从表面引出，故可以通过介质隔离实现与常规ＣＭＯＳ低压逻辑控制电路集成化，有利于制造各种高压功率集成电路，它可广泛应用于马达驱动和工业控制等场合。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN87209110

专利申请（专利权）人：南京工学院

专利发明（设计）人：谢世健; 张会珍; 朱静远

主权项：一种新型结构的晶闸管，由PNPN四层结构组成，其特征在于组成晶闸管的PNPN层为横向结构，采用MOS管和双极型晶体管复合构成，MOS管的源，漏区和双极型晶体管的发射区及收集区组成横向晶闸管的四层结构，其中MO S管的漏区与双极型晶体管的基区为公用区。

专利地区：江苏