采用ＭＯＳ器件接近开关专利登记公告
专利名称：采用ＭＯＳ器件接近开关
摘要： 采用ＭＯＳ器件的接近开关中使用了两ＭＯＳ器件，一用于整形放大，另一用于末级功率放大，从而使接近开关体积缩小，成本降低，功率增大，抗干扰能力强。能在零下２０℃低温下或５０℃高温下工作。适用于各种定位控制或信号检测的装置或场合。
专利类型：实用新型专利
专利号：CN87211201
专利申请（专利权）人：夏士华
专利发明（设计）人：夏士华
主权项： 一种无接触电磁感应的接近开关，由高频振荡、整形放大、末级功放，电路封装固定在金属壳体内组成，其特征在于整形放大和末级功放采用ＭＯＳ器件。
专利地区：江苏
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