抗磁场干扰的横向电压型压力传感器专利登记公告

专利名称：抗磁场干扰的横向电压型压力传感器

摘要： 近年来出现的横向电压型压力传感器的核心部分是制作在硅膜上的一个四端半导体电阻器。由于其几何形状与磁敏霍尔器件类似，这种压力传感器也有磁敏性。本实用新型把几何尺寸和工艺参数完全相同的两个四端电阻器根据硅膜的形状，选取一定的位置和取向，并以特定的方式组合输出，可以获得消除磁场的干扰而又加强压力信号的压力传感器。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN87211315

专利申请（专利权）人：复旦大学

专利发明（设计）人：鲍敏杭; 齐薇佳; 于连忠

主权项： 一种由两个四端半导体电阻器构成的消磁敏横向电压型压力传感器，其特征为两个四端电阻器的尺寸相同、位置和取向角不同，两个输出霍尔电压极性相同的两个电极相短接，其余两个输出端作为输出。

专利地区：上海