分离磁体式平面磁控溅射源专利登记公告

专利名称：分离磁体式平面磁控溅射源

摘要： 一种分离磁体式平面磁控溅射源，它含有一个位于阴极靶[4]外侧的固定式圆环形磁体[2]和一个或若干个作圆周运动的内磁组件构成的磁场源，以及一个优先冷却阴极靶[4]的水冷器。能产生一个或多个作圆周运动的扇形等离子体闭合环，或者产生一个能旋转的∞字形等离子体闭合环。同已有的平面磁控溅射源比较，具有靶面有效溅射区域大、溅射刻蚀均匀、靶材利用率高、薄膜的等厚度沉积面积大等优点。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN87214299

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：王德苗; 任高潮

主权项： 一种由转轴、磁场源、平面形阴极靶、水冷器以及屏蔽罩组成的分离磁体式平面磁控溅射源，其特征在于该溅射源包含一个由固定式圆环形磁体［２］和一个或者若干个作圆周运动的内磁组件［１］构成分离磁体式磁场源，以及一个优先冷却阴极靶［４］的溅射区的水冷器。

专利地区：浙江