复合外腔半导体激光器专利登记公告

专利名称：复合外腔半导体激光器

摘要： 一种复合外腔半导体激光器。属于半导体激光领域，本实用新型是由激光二极管、自聚焦透镜和部分反射镜组成复合外腔，其中激光二极管在耦合腔一侧的端面镀有增透膜，全部机械结构采用热胀系数小的材料制成的，粘结为一个整体并密封在壳内，充有保护气体。本实用新型线宽≤１MHz，在无恒温控制的普通实验室内、不进行任何反馈控制，单模运转稳定时间＞２４小时，同一单模运转时注入电流变化范围达１５mA（0.5Ith）。边模抑制比＞２５db。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN87215998

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：霍玉晶; 许知止; 周炳琨

主权项： 一种复合外腔半导体激发器，它是由激光二极管、自聚焦透镜，反射镜、调整机构和致冷装置组成，由位于耦合腔一侧端面镀有适当增透膜的激光二极管的两个端面构成本征腔，由自聚焦透镜和部分反射镜，构成光反馈和光输出系统，其特征在于激光二极管未镀增透膜的一端和两面介质膜部分反射镜分别组成两个耦合外腔，全部结构粘为一个整体，密封在外壳内，壳内充有保护气体。

专利地区：北京